，其容量做到惊人的36GB，带宽更到达惊人的1280GB/s。相较于8层堆叠的HBM3

  三星电子存储产品规划履行副总裁Yongcheol Bae说，跟着AI职业对HBM的火急需求，这便是他们研制新式HBM3E 12H产品的原因。

  三星在技能上选用了最新的热压力传导性膜（TC NCF）技能，成功保持了12层产品的高度与其前身8层HBM芯片保持一致，满意了现有的HBM封装要求。他猜测，这种技能在未来会带来更大的打破，尤其是在高层次堆叠方面，由于全球都在为此头疼的薄晶圆翘曲问题供给解决之道。他着重，三星正在尽力削减NCF资料的厚度，而且现已完成了当今市场上最小的芯片空地（7微米），如此一来就能够消除分层空地，且新技能的前进进步了笔直密度超越20％。

  别的，三星也表明，TC NCF技能还能够终究靠运用不一样尺度的凸块在芯片之间改进HBM的热功能。新的芯片键合战略中，小凸块用于开释信号处理区域，而大凸块则使用于需求降温的当地。

  据现在已知的音讯，英伟达的H200旗舰AI芯片现已挑选了HBM3E存储，接下来的B100芯片相同将运用该技能。全球三大存储芯片制造商——三星、SK海力士以及美光都在大力出资HBM范畴。

  最终，三星称，HBM3E 12H将会成为未来的首选解决方案，它能够大幅度地下降数据中心的全体本钱（TCO）。功能方面，新产品比之前的HBM3 8H能让AI练习速度进步约34%，适用于推理服务支撑的用户数量可增加多达11.5倍以上。

  据悉，三星已开端向客户供给HBM3E 12H样本，并预期将于本年上半年正式投入量产。

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